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最新一期《科學》雜志刊發了復旦大學微電子學院張衛課題組最新科研論文，該課題組提出并實現了一種新型的微電子基礎器件半浮柵晶體管（SFGT）。這是我國科學家在該頂級學術期刊上發表的第一篇微電子器件領域的原創性成果，SFGT的成功研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術，從而在芯片設計與制造上獲得更多話語權。
作為一種新型的基礎器件，半浮柵晶體管可在三大領域應用，擁有巨大的潛在市場。首先，它可以取代一部分靜態隨機存儲器（SRAM）。傳統SRAM集成度較低，占用面積大，由SFGT構成的SRAM單元面積更小，密度比傳統SRAM約可提高10倍，具有高密度和低功耗的優勢。其次，SFGT可以應用于動態隨機存儲器（DRAM）領域，即廣泛應用于計算機內存。SFGT構成的DRAM無需電容器便可實現傳統DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，讀寫速度更快。此外，SFGT還可以應用于主動式圖像傳感器芯片（APS），感光單元密度提高，使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到提升。
目前，DRAM、SRAM和圖像傳感器技術的核心專利基本上被國外公司控制，中國大陸具有自主知識產權且可應用的產品幾乎沒有。張衛教授說，半浮柵晶體管作為一種基礎電子器件，它在存儲和圖像傳感等領域的潛在應用市場規模達到300億美元以上，它的成功研制有助于我國掌握集成電路的核心器件技術，是我國在新型微電子器件技術研發上的里程碑。
張衛教授表示，目前的半浮柵晶體管是在較大工藝技術節點上實現的，主要是為了驗證器件性能，未來研究工作主要集中于器件性能的優化和進一步提升，相關應用的電路設計和關鍵IP技術，以及技術節點縮小帶來的一系列工藝問題。
